Si(111)-$(\sqrt{3}\times\sqrt{3})$-Sn 表面的电子关联效应与库仑隙
强关联电子
2017-05-31 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
利用双探针电导测量和隧穿谱，研究了在低掺杂 Si 衬底上形成的 Si(111)--Sn 表面的电子输运性质。我们证明基态对应于具有带隙 meV 的 Mott-Hubbard 绝缘体，该带隙随温度升高迅速消失。在 K 以上表面电导的温度依赖性符合 Efros-Shklovskii 跳跃传导定律。在较高温度隧穿谱测量中观察到的费米能级处的能隙可以用动态库仑阻塞（dynamic Coulomb blockade）近似来描述。得到的电子定域化长度为 \AA。
引用
@article{arxiv.1612.04989,
title = {Electronic correlation effects and Coulomb gap in the Si(111)-$(\sqrt{3}\times\sqrt{3})$-Sn surface},
author = {A. B. Odobescu and A. A. Maizlakh and N. I. Fedotov and S. V. Zaitsev-Zotov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1612.04989},
year = {2017}
}
备注
5 pages, 15 figures