由非局域库仑相互作用驱动的 Sn/Si(111) 中的拓扑超导性

近期在硼掺杂 ($\sqrt{3}\times\sqrt{3}$)Sn/Si(111) 中观测到超导性。该材料可由三角晶格上的扩展 Hubbard 模型描述。此处，我们使用随机相位近似研究系统的电荷与自旋涨落以及超导性质随填充及扩展与在位 Hubbard 相互作用相对强度的变化。我们的计算揭示，在近半填充与弱扩展 Hubbard 相互作用下，超导基态呈现手性 $d$ 波配对。远离半填充且近邻库仑相互作用较强时，系统显示手性 $p$ 波（空穴掺杂）与 $f$ 波（电子掺杂）配对。配对对称性对扩展 Hubbard 相互作用的依赖性表明电荷涨落在库珀对形成中起重要作用。最后，计算所有观测超导织构的 Knight 位移的温度依赖，并提议作为检验超导能隙函数对称性的实验方法。