掺浦 Sn/Si(111) 上的色旋拓扑超导体
超导电性
2025-12-17 v1 强关联电子
摘要
已证明在掺浦 6%~10% 空穴后，硅基板 Si(111) 上薄层六个锡原子会发生超导。实验报道了指向超导色旋 d 型波动函数的鼎舞结果。本文通过结合最新的第一性原理结果、准粒子干涉计算、先进的截断统一函数重整化群模拟和波利科-德布尔斯分析来考察 Sn/Si(111)。我们在金属态和超导态下的准粒子干涉数据表现出与实验数据高度一致。相互作用相图揭示，超导体确实具有 Chern 数为 4 的色旋 d 型，其磁各向异性相的缺失与其它相关化合物中看到的 CDW 序相同。我们的结果表明，Sn/Si(111) 是色旋拓扑超导体的优异材料候选。
引用
@article{arxiv.2512.13808,
title = {Chiral topological superconductivity in hole-doped Sn/Si(111)},
author = {Matthew Bunney and Lucca Marchetti and Domenico Di Sante and Carsten Honerkamp and Stephan Rachel},
journal= {arXiv preprint arXiv:2512.13808},
year = {2025}
}
备注
(7+8 pages, 4+5 figures)