硅表面手性超导的证据
超导电性
2023-05-03 v1 强关联电子
摘要
覆盖度为 1/3 单层的 Sn 吸附原子在 Si(111) 衬底上形成二维三角吸附原子晶格，每格点有一个未配对电子并呈反铁磁 Mott 绝缘态。可使用重掺杂 型 Si(111) 衬底对 Sn 层进行调制空穴掺杂并金属化，其在低温下变为超导。尽管超导态的配对对称性目前未知，排斥相互作用与三角吸附原子晶格固有挫败感的结合为手性序参量提供了可能。此处，我们利用扫描隧道显微镜/谱学与准粒子干涉成像研究 Sn/Si(111) 的超导态。我们发现了依赖于掺杂的 且具有完全能隙序参量、时间反演对称性破缺、以及超导畴边缘附近零偏导纳显著增强的证据。尽管每一条单独证据都可能有更平庸的解释，我们的综合结果表明 Sn/Si(111) 是一种非常规手性 d 波超导体的诱人可能性。
引用
@article{arxiv.2210.06273,
title = {Evidence for chiral superconductivity on a silicon surface},
author = {F. Ming and X. Wu and C. Chen and K. D. Wang and P. Mai and T. A. Maier and J. Strockoz and J. W. F. Venderbos and C. Gonzalez and J. Ortega and S. Johnston and H. H. Weitering},
journal= {arXiv preprint arXiv:2210.06273},
year = {2023}
}