Sn/Si(111)和Sn/Ge(111)表面的三角Mott-Hubbard绝缘体相
强关联电子
2009-11-13 v1
摘要
基于从头计算，其中关联效应通过库仑相互作用的轨道依赖性（在局域密度+哈伯德U近似中）近似包含，重新审视了Sn/Si(111)和Sn/Ge(111)表面-相的基态。关联效应使Sn/Ge(111)中的垂直屈曲失稳，并使表面具有磁性，同时两种系统都发生金属-绝缘体转变。这表明稳定的窄带隙Mott-Hubbard绝缘态的出现，与最近的实验一致。反铁磁交换被认为负责观察到的点光电子发射强度，以及Sn/Si(111)在60 K以上观察到的部分金属化。通过碱金属掺杂等对Sn/Si(111)的外部金属化，可能导致该表面及类似表面出现新型二维三角超导态。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0703181,
title = {Triangular Mott-Hubbard Insulator Phases of Sn/Si(111) and Sn/Ge(111) Surfaces},
author = {G. Profeta and E. Tosatti},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0703181},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures