低温下 Sn/Ge(111) Mott 绝缘体基态的观测
材料科学
2009-11-11 v1
摘要
我们报告了对 Ge(111) 上 0.33 ML Sn 在温度低至 5 K 时的性质的研究。低能电子衍射和扫描隧道显微镜表明，在 200 K 形成的 (3x3) 相在 30 K 以下转变为新的 (root-3xroot-3)R30 相。(3x3) 相特征的垂直畸变在相变过程中消失。角分辨光电子能谱实验表明，与结构相变同时发生的是金属-绝缘体相变。与理论预测一致，(root-3xroot-3)R30 基态被解释为二维三角晶格中窄半满能带 Mott 绝缘体的实验实现。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0601029,
title = {Observation of a Mott insulating ground state for Sn/Ge(111) at low temperature},
author = {R. Cortes and A. Tejeda and J. Lobo and C. Didiot and B. Kierren and D. Malterre and E. G. Michel and A. Mascaraque},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0601029},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures