通过光电子衍射确定 (3x3)-Sn/Ge(111) 结构
强关联电子
2009-10-31 v2 材料科学
摘要
在约 1/3 单层覆盖率下，将 Sn 薄膜沉积于 Ge(111) 表面低于 550 时，形成一种 metastable (sqrt3 x sqrt3)R30 相。该相在 200 K 以下可连续可逆地转化为 (3x3) 相。Sn 4d 电子的光发射谱表现为两个组成部分，归因于 T4 键合位点上不同 Sn 原子。该结构通过在意大利 Trieste 埃莱塔存储环 ALOISA 束线上进行的光电子衍射实验进行探索。两种 Sn 成分强度的调制由底层 Ge 原子的背散射引起，作为发射角在固定动能和相反情况下的函数进行测量。沿主要对称方向进行极化扫描后，发现 Sn 与其最近邻 Ge 原子（Sn-Ge1）的键角几乎相等。通过研究动能依赖性（保持光子极化和收集方向平行于 Sn-Ge1 键合方向），得到键长也较为相似。正出射能条件下观察到两种键合位点的明显差异，表明对第二层 Ge 原子上 Sn 原子高度的敏感性增强。测得该垂直距离为 0.3 Å，一个在单位单元中包含三个 Sn 原子中占据优势位置。因此，(3x3)-Sn/Ge(111) 结构特征为：Sn 原子及其三个最近邻 Ge 原子形成相对刚性单元，呈现强烈垂直扭曲，相对于第二层 Ge 原子而言。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0012179,
title = {Determination of the (3x3)-Sn/Ge(111) structure by photoelectron diffraction},
author = {L. Petaccia and L. Floreano and M. Benes and D. Cvetko and A. Goldoni and L. Grill and A. Morgante and A. Verdini and S. Modesti},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0012179},
year = {2009}
}
备注
10 pages with 9 figures, added references