硅表面的强相关电子：Mott绝缘体的理论
材料科学
2009-10-31 v1 强关联电子
摘要
我们在理论上表明，覆盖钾的Si(111)-B表面的电子基态是一种Mott绝缘体，这明确地与带理论相矛盾，但与最近的实验结果良好一致。我们采用标准的密度泛函方法确定物理结构，通过对许多体哈密顿量的精确对角化获得电子基态。许多体导电性揭示了在临界相互作用强度处出现的Brinkman-Rice金-绝缘体相变；计算得到的相互作用强度已远高于此临界值。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9812061,
title = {Strongly Correlated Electrons on a Silicon Surface: Theory of a Mott Insulator},
author = {C. Stephen Hellberg and Steven C. Erwin},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9812061},
year = {2009}
}
备注
4 pages; 4 figures included in text; Revtex