电场诱导的有机场效应晶体中的Mott绝缘态
强关联电子
2009-11-07 v1
摘要
我们考察了注入到有机场效应晶体中的电子是否存在强相关性。单层的醌烷类化合物可由Hubbard哈密顿量来建模，类似于用于kappa-(BEDT-TTF)(2)X族有机超导体的模型。所注入的电子不一定会在系统半填满时像在晶体中那样转化为Mott绝缘态。我们在Hubbard势垂势能U极大限的框架下，计算了获得绝缘态所需的填满数。我们还指出，这些Mott态在某些临界垂直耦合或远距离库仑相互作用以上会不稳定。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0210565,
title = {Electric-Field-Induced Mott Insulating States in Organic Field-Effect Transistors},
author = {Olivier Cepas and Ross H. McKenzie},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0210565},
year = {2009}
}
备注
9 pages, 7 figures