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带绝缘体与莫特绝缘体之间转变的精确键序基态

强关联电子 2009-11-10 v2

摘要

我们推导了离子 Hubbard 链的有效哈密顿量 HeffH_{eff},适用于 tU,Δt\ll U,\Delta ,其中 tt 是跳跃积分,UU 是库仑排斥能,Δ\Delta 是电荷转移能。HeffH_{eff} 是描述从带绝缘体 (BI) (ΔUt\Delta -U\gg t) 到莫特绝缘体 (MI) (UΔtU-\Delta \gg t) 转变的最小模型。利用自旋-粒子变换 (Phys. Rev. Lett. \textbf{86}, 1082 (2001)),我们将 Heff(U=Δ)H_{eff}(U=\Delta) 映射到一个基态已知的 SU(3) 反铁磁海森堡模型。通过这种方式,我们严格证明了在 BI 和 MI 之间的转变区域出现了一个自发二聚化的绝缘铁电相。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0309295,
  title  = {Exact Bond Ordered Ground State for the Transition Between the Band and the Mott Insulator},
  author = {C. D. Batista and A. A. Aligia},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0309295},
  year   = {2009}
}