带绝缘体与莫特绝缘体之间转变的精确键序基态
强关联电子
2009-11-10 v2
摘要
我们推导了离子 Hubbard 链的有效哈密顿量 ,适用于 ,其中 是跳跃积分, 是库仑排斥能, 是电荷转移能。 是描述从带绝缘体 (BI) () 到莫特绝缘体 (MI) () 转变的最小模型。利用自旋-粒子变换 (Phys. Rev. Lett. \textbf{86}, 1082 (2001)),我们将 映射到一个基态已知的 SU(3) 反铁磁海森堡模型。通过这种方式,我们严格证明了在 BI 和 MI 之间的转变区域出现了一个自发二聚化的绝缘铁电相。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0309295,
title = {Exact Bond Ordered Ground State for the Transition Between the Band and the Mott Insulator},
author = {C. D. Batista and A. A. Aligia},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0309295},
year = {2009}
}