从 Mott 绝缘体到带绝缘体：基于 DMFT 的研究
强关联电子
2009-11-11 v2
摘要
近年来，是否存在 Mott 绝缘体与带绝缘体之间的根本差异，成为广泛关注的议题。本文考察了一个简单模型，该模型通过调节一个参数，可连续实现从 Mott 绝缘体到带绝缘体的转化。该模型由两个通过单粒子隧穿相互连接的 Hubbard 系统组成。采用动态平均场理论（DMFT）求解 Hubbard 哈密顿量，其中量子杂质问题通过量子蒙特卡洛方法求解。计算了准粒子光谱函数，重点关注光学导电率，尤其是可实验测量的 Drude 权重。通过计算，我们得出结论，在有限温度下，带绝缘体与 Mott 绝缘体相位之间存在连续的交叉现象。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0510150,
title = {From Mott Insulator to Band Insulator: A DMFT Study},
author = {Andreas Fuhrmann and David Heilmann and Hartmut Monien},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0510150},
year = {2009}
}
备注
7 pages including 9 figures