关联能带绝缘体中的磁转变

针对两层具有相反符号跃迁的双层哈伯德哈密顿量，探索了在位电子-电子排斥 $U$ 在能带绝缘体中的效应。通过计算反铁磁结构因子、局域磁矩、单粒子与自旋波谱以及自旋关联，确定了半填充下 $U$ 与层间杂化 $V$ 平面内的基态相图。与离子哈伯德模型的情况不同，未发现金属相介入莫特绝缘体与能带绝缘体之间的证据。相反，在大 $V$ 下增加 $U$ 时，局域磁矩和单粒子谱的行为定量地给出了在磁有序开始之前向莫特绝缘体态渡越的证据。我们的结论推广了单格点动力学平均场理论的结果，并表明计入层间关联会导致单粒子能隙随 $U$ 增大。