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二维拓扑绝缘体的磁性

强关联电子 2017-03-22 v1

摘要

本文研究了适用于 HgTe/CdTe 量子阱的模型参数下,Hubbard 型在位相互作用对 BHZ 模型的影响。在简单平均场理论中,我们寻找模型中可能的磁不稳定性,发现当空穴轨道中电子间相互作用强度足够强时,基态变为铁磁性。该结果可通过将 Hubbard-BHZ 模型近似映射到单带 Hubbard 模型来理解。同一映射表明,磁性和/或其他有序相更可能发生在电子和空穴轨道占据均接近 1/2 的大能隙拓扑绝缘体中。

关键词

引用

@article{arxiv.1703.07086,
  title  = {Magnetic properties of 2D topological insulators},
  author = {Zewei Chen and Tai Kai Ng},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1703.07086},
  year   = {2017}
}

备注

5 pages, 5 figures