双层离子Hubbard模型中相互作用驱动的带绝缘体—金属转变

在离子Hubbard模型（IHM）中，对于中等强度相互作用 $U$，已有报道相互作用驱动的绝缘体到金属转变，但其金属相仅在相图中占据狭窄区域。为探索金属区域的扩大，我们将离子Hubbard模型扩展到两个耦合层，并研究层间杂化 $V$ 与两类层内交错势 $\Delta$ 之间的相互作用：一类具有相同的（同相）层间势，另一类具有 $\pi$ 相移（反相）势。我们在最低可达温度下的行列式量子蒙特卡洛（DQMC）模拟表明，在双层IHM的 $\Delta-V$ 相图中，只有当离子势为同相时，莫特绝缘体与带绝缘体之间的相互作用驱动金属相才会扩展；而反相势总是诱导出具有电荷密度序的绝缘体。这意味着有可能将离子Hubbard模型从本文的双层情形进一步扩展到现实的三维模型。