电场诱导薄膜中 Mott 金属 - 绝缘体相变的移动
强关联电子
2015-05-30 v1
摘要
利用平板几何结构下单带 Hubbard 模型的非均匀 Gutzwiller 近似，研究了外加电场存在下顺磁 Mott 绝缘体的基态性质。施加垂直于平板的电场会使金属 - 绝缘体相变移向更高的 Hubbard 排斥能。依赖于格点的准粒子权重的空间分布表明，准粒子权重在表面下方少数几层处达到最大。此外，仅当 Hubbard 排斥能大于体材料临界值 时，电场才仅在中心格点处被完全屏蔽。我们的结果表明，对于由强关联材料制成的薄膜，当存在垂直电场时，表面附近的态将保持金属性，而体材料在超过某个临界 后变为绝缘态。相比之下，在没有电场的情况下，表面会在体材料之前变为绝缘态。
引用
@article{arxiv.1109.0857,
title = {Electrical field induced shift of the Mott Metal-Insulator transition in thin films},
author = {D. Nasr Esfahani and L. Covaci and F. M. Peeters},
journal= {arXiv preprint arXiv:1109.0857},
year = {2015}
}