掺杂Mott绝缘体薄膜中表面态的场效应
强关联电子
2013-01-28 v2
摘要
我们研究了由强关联材料制成的掺杂薄膜在无垂直电场和有垂直电场两种情况下的表面效应。我们使用单带Hubbard模型的非均匀Gutzwiller近似来描述关联效应。对于低掺杂，准粒子权重的体值在深入板内时呈指数恢复，但随着掺杂增加，表面附近出现额外的Friedel振荡。我们表明逆关联长度与掺杂水平呈幂律依赖关系。在电场存在下，整个系统中的准粒子权重可实现显著变化。我们观察到板两侧附近的准粒子权重存在巨大差异（高达五个数量级）。这种效应在使用表面态进行输运的开关器件中可能具有重要意义。
引用
@article{arxiv.1206.5492,
title = {Field effect on surface states in a doped Mott-Insulator thin film},
author = {D. Nasr Esfahani and L. Covaci and F. M. Peeters},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.5492},
year = {2013}
}