双极功率晶体管中的热点现象及其对策：解析电热仿真研究
材料科学
2007-09-13 v1
摘要
本文对单元型双极功率晶体管中的热点 onset（HSO）进行了理论研究。这一众所周知的现象是指在高压条件下少数单元内发生的电流拥挤，显著降低了器件的正向安全工作区（FSOA）。研究通过一种在稳态下运行且设定输入基极电流条件的快速全解析电热仿真器，在虚拟样品上进行。目的是研究该现象对多种热学和几何因素的依赖性，并测试合适的对策，以便在更高偏压下抑制该现象或将其完全消除。研究观测了 HSO 的功率阈值及其在硅芯片内的定位随电偏置条件（如集电极电压、硅芯片下方封装结构的等效热阻、特意添加在发射极金属互连中的镇流电阻值，以及放置在芯片顶部旨在使硅表面温度更均匀的铜热扩散层厚度）的变化情况。
引用
@article{arxiv.0709.1831,
title = {The Hot-Spot Phenomenon and its Countermeasures in Bipolar Power Transistors by Analytical Electro-Thermal Simulation},
author = {F. Stefani and P. -E. Bagnoli},
journal= {arXiv preprint arXiv:0709.1831},
year = {2007}
}
备注
Submitted on behalf of TIMA Editions (http://irevues.inist.fr/tima-editions)