石墨烯器件中功率耗散的成像、模拟与静电控制
介观与纳米尺度物理
2010-12-30 v2 材料科学
摘要
我们利用红外热显微术直接对工作状态下的单层和双层石墨烯场效应晶体管(GFET)中的热点形成进行成像。通过与电-热输运模型相关联，可以深入了解载流子分布、电场以及GFET的功率耗散。热点对应于沿GFET电荷密度最小的位置；通过改变施加的偏压，热点可以在电极之间移动，或者在双极输运中保持在沟道中心。有趣的是，热点形状带有单层与双层石墨烯态密度的印记。更广泛地说，我们发现热成像结合自洽模拟为更深入地研究纳米尺度器件中的输运和能量耗散提供了一种非侵入性方法。
引用
@article{arxiv.1004.0287,
title = {Imaging, simulation, and electrostatic control of power dissipation in graphene devices},
author = {Myung-Ho Bae and Zhun-Yong Ong and David Estrada and Eric Pop},
journal= {arXiv preprint arXiv:1004.0287},
year = {2010}
}