二维二硒化铂中纳米晶结构与电子性质的关联
材料科学
2021-07-07 v1 应用物理
摘要
二硒化铂（PtSe）是一种具有优异电子和压阻性质的二维（2D）材料。该材料可在低温下以可扩展方式生长，这使其对许多潜在的电子、光子学和传感应用极具吸引力。在此，我们研究了通过热辅助转换（TAC）生长的不同 PtSe 薄膜的纳米晶结构，并将其与它们的电子和压阻性质相关联。我们使用扫描透射电子显微镜进行结构分析，X 射线光电子能谱（XPS）进行化学分析，以及拉曼光谱进行物相鉴定。利用转移的 PtSe 薄膜制备电子器件，以进行电学表征和压阻应变因子测量。研究发现，晶粒尺寸及其取向的变化与薄膜的电子和压阻性质（尤其是方块电阻和有效载流子迁移率）有很强的关联。我们的发现可能为调控和优化 TAC 生长的 PtSe 以适应众多应用铺平道路。
引用
@article{arxiv.2104.03636,
title = {Correlating Nanocrystalline Structure with Electronic Properties in 2D Platinum Diselenide},
author = {Sebastian Lukas and Oliver Hartwig and Maximilian Prechtl and Giovanna Capraro and Jens Bolten and Alexander Meledin and Joachim Mayer and Daniel Neumaier and Satender Kataria and Georg S. Duesberg and Max C. Lemme},
journal= {arXiv preprint arXiv:2104.03636},
year = {2021}
}