通过单区硒化生长的外延对齐高载流子迁移率 PtSe2 薄膜
材料科学
2020-09-24 v2
摘要
少层 PtSe2 薄膜是高速电子学、自旋电子学和光电探测器应用的有前景候选材料。然而，可重复地制备大面积高结晶薄膜仍具挑战。在此，我们报道利用对预溅射铂层的单区硒化制备外延对齐的 PtSe2 薄膜。我们研究了生长条件对由不同初始厚度的 Pt 层所制备薄膜的结构和电学性质的影响。最佳结果来自在升高温度（600 {\deg}C）下生长的 PtSe2 层。薄膜呈现出类似外延生长的长程面内有序特征。通过霍尔效应测量确定的载流子迁移率在这些薄膜中高达 24 cm2/V.s。
引用
@article{arxiv.2006.15851,
title = {High carrier mobility epitaxially aligned PtSe2 films grown by one-zone selenization},
author = {Michaela Sojkova and Edmund Dobrocka and Peter Hutar and Valeria Taskova and Lenka Pribusova-Slusna and Roman Stoklas and Igor Pis and Federica Bondino and Frans Munnik and Martin Hulman},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.15851},
year = {2020}
}