高效杂化钙钛矿合金中依赖于衬底的光电导动力学

将 (FA$_{0.79}$MA$_{0.16}$Cs$_{0.05}$)$_{0.97}$Pb(I$_{0.84}$Br$_{0.16}$)$_{2.97}$ 薄膜生长在 TiO$_{2}$、SnO$_{2}$、ITO 和 NiO 上。通过测量薄膜与带电微悬臂之间作用的同相和异相力来探测薄膜电导率。我们跟踪了薄膜电导率随时间和频率、光强以及温度（233至312 K）的变化。钙钛矿在ITO和NiO上的电导率高且与光无关。在TiO$_{2}$和SnO$_{2}$上，暗态电导率低，随光强增加而升高，并在撤光后持续数十秒。在TiO$_{2}$上较高温度下，暗态电导率恢复速率呈现活化温度依赖（E$_{a}$ = 0.58 eV）。令人惊讶的是，TiO$_{2}$和SnO$_{2}$上光致电导在低温下几乎瞬时弛豫。我们使用混合离子-电子导体的传输线模型表明，所呈现的测量对电子和离子电导率之和敏感。我们利用由衬底平衡或光辐照引入的空穴产生碘空位的观点，合理解释了这些看似矛盾的现象。