化学计量与还原 SnO2 (110) 表面的结构
mtrl-th
2009-10-28 v1 材料科学
摘要
基于密度泛函理论（DFT）和赝势方法的从头算计算已被用于研究化学计量与还原的 SnO2 (110) 表面。发现对于化学计量和还原表面，离子弛豫均为中等程度，且与最近 TiO2 的 DFT-赝势工作非常相似。中性氧的移除在表面每个氧上留下两个电子，这些电子分布在穿过桥氧位点的通道中。相关的电子密度可归因于锡从 Sn4+ 还原为 Sn2+，但只有当 Sn2+ 上的电荷分布被认识到是高度不对称时才成立。表面还原产生了宽泛的带隙态分布，在定性上与光谱测量一致。
引用
@article{arxiv.mtrl-th/9505011,
title = {The Structure of the Stoichiometric and Reduced SnO2 (110) Surface},
author = {I. Manassidis and J. Goniakowski and L. N. Kantorovich and M. J. Gillan},
journal= {arXiv preprint arXiv:mtrl-th/9505011},
year = {2009}
}
备注
5 figures, accepted in Surface Science, corresponding author: M. J. Gillan, e-mail: [email protected]