LaAlO3覆盖层/SrTiO3(001)n型界面中氧空位诱导的载流子：界面掺杂与体掺杂载流子
材料科学
2009-12-25 v1
摘要
我们通过密度泛函理论计算研究了LaAlO3(LAO)覆盖层/SrTiO3(STO)(001)n型界面中氧空位的作用。通过比较不同位置含一个空位构型的总能量，我们发现氧空位倾向于首先出现在LAO表面。这些表面氧空位在界面处产生二维载流子分布，导致STO侧界面处能带弯曲。取决于LAO表面氧空位浓度，界面处诱导的载流子电荷部分或完全补偿了LAO中的极化电场。此外，还给出了STO中氧空位的电子性质。STO中的每个氧空位产生两个电子载流子，但该载流子电荷对LAO中极化场的屏蔽无影响。给出了依赖于氧空位浓度的界面能带结构，并与实验结果进行了比较。
引用
@article{arxiv.0912.4805,
title = {Oxygen-vacancy-induced charge carrier in n-type interface of LaAlO3 overlayer on SrTiO3 (001): interface vs bulk doping carrier},
author = {Yun Li and S. Na Phattalung and S. Limpijumnong and Jaejun Yu},
journal= {arXiv preprint arXiv:0912.4805},
year = {2009}
}
备注
8 pages, 10 figures