用硅基衬底调控铋烯的拓扑带隙
材料科学
2022-03-02 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
铋单层（铋烯）的一些亚稳多晶型可承载拓扑非平庸相。然而，这些多晶型是否能通过衬底相互作用而稳定、其拓扑性质是否得以保持，以及如何设计最优衬底使拓扑相更鲁棒，仍不清楚。利用第一性原理技术，我们证明铋烯多晶型可在碳化硅（SiC）、硅（Si）、二氧化硅（SiO2）上稳定，且异质结构中的邻近相互作用对单层的电子结构有显著影响，即使在弱成键时也是如此。我们表明范德瓦耳斯相互作用和子晶格对称性的破缺是驱动电子结构变化的主要因素。我们的工作表明，衬底相互作用可增强铋烯多晶型的拓扑性质，使其可用于实验研究和技术应用。
引用
@article{arxiv.2203.00114,
title = {Tuning the Topological Band Gap of Bismuthene with Silicon-based Substrate},
author = {Nils Wittemeier and Pablo Ordejón and Zeila Zanolli},
journal= {arXiv preprint arXiv:2203.00114},
year = {2022}
}