通过界面工程调控 α-锑烯单层的电子结构
材料科学
2020-11-17 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
来自衬底的面间电荷转移可能影响外延范德华（vdW）单层的电子结构，进而影响其进一步的技术应用。例如，翘曲蜂窝相（α-锑烯）中的自由站立 Sb 单层——黑磷烯的结构类似物——被预测为半导体，但当在 Td-WTe2 衬底上生长时，其外延层表现为无带隙半金属。本文中，我们证明界面工程可用于调控面间电荷转移，从而调控外延单层的电子能带。结果，在 SnSe 衬底上成功获得了带隙约 170 meV 的近自由站立（半导体性）α-锑烯单层。此外，在双层 α-锑烯中观察到半导体-半金属转变。本研究为通过界面工程修饰二维 vdW 材料中的电子结构铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2011.07204,
title = {Tuning the electronic structure of {\alpha}-antimonene monolayer through interface engineering},
author = {Zhi-Qiang Shi and Huiping Li and Cheng-Long Xue and Qian-Qian Yuan and Yang-Yang Lv and Yong-Jie Xu and Zhen-Yu Jia and Libo Gao and Yanbin Chen and Wenguang Zhu and Shao-Chun Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.07204},
year = {2020}
}
备注
18 pages, 4 figures