基于第一性原理 $GW$ 的酞菁-过渡金属硫族化物界面准粒子电子结构
材料科学
2021-12-13 v1
摘要
单层过渡金属硫族化物（TMDs）与（金属）酞菁分子形成的界面在能源应用中颇具前景，并为研究一般意义上的混合维度分子-半导体异质结构提供了平台。准确表征这些界面处的 frontier 能级对齐，是基本理解两个光吸收体之间电荷转移动力学的关键。在此，我们采用第一性原理衬底屏蔽 方法来定量表征一系列界面的准粒子电子结构：吸附于单层 MX（M=Mo, W；X=S, Se）的金属游离酞菁（HPc），以及吸附于 MoX（X=S, Se）的锌酞菁（ZnPc）。此外，我们利用介电嵌入 方法揭示了常用 -石英（SiO）衬底对 HPc:MoS 界面的介电屏蔽效应。我们的计算提供了这些界面的首组 结果，给出了一系列类似体系中的结构-性质关系，并为未来的实验与理论研究提供了基准。
引用
@article{arxiv.2109.13044,
title = {Quasiparticle electronic structure of phthalocyanine:TMD interfaces from first-principles $GW$},
author = {Olugbenga Adeniran and Zhen-Fei Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2109.13044},
year = {2021}
}
备注
10 pages, 4 figures