二维金属/半导体界面中p型肖特基势垒的调控：硼片/\mose与/\wse
材料科学
2017-10-11 v1
摘要
通过第一性原理计算研究了二维范德瓦尔斯金属/半导体异质结构的电子与结构性质。我们考虑了近期合成的硼烯[Science {\bf 350}, 1513 (2015)]，以及平面硼片（S1和S2）[Nature Chemistry {\bf 8}, 563 (2016)]作为二维金属层，过渡金属二硫属化物（TMDCs）\mose，以及\wse\作为半导体单层。我们发现这些二维金属/半导体异质结的能量稳定性主要由范德瓦尔斯（vdW）相互作用主导；然而，在硼烯/TMDC中也发生化学相互作用。我们描绘了金属/半导体界面的电子电荷转移，发现从TMDCs到硼片存在净电荷转移。进一步的电子结构计算揭示，由平面硼片S1和S2构成的金属/半导体界面呈现p型肖特基势垒，该势垒可在外电场下调控为p型欧姆接触。
引用
@article{arxiv.1702.00437,
title = {Tuning the p-type Schottky barrier in 2D metal/semiconductor interface: boron-sheet/\mose, and /\wse},
author = {Willian Couto and Adalberto Fazzio and Roberto Miwa},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.00437},
year = {2017}
}