碲化铋拓扑绝缘体范德瓦耳斯外延中的形貌控制
材料科学
2020-08-06 v1
摘要
碲化铋作为拓扑绝缘体的原型已重新受到显著关注。高质量薄膜已被研究作为新型自旋电子器件的基本平台。铋的低迁移率与碲化物的高脱附系数构成这样一种情形：生长参数对薄膜的结构与电子性质具有剧烈影响。最近[J. Phys. Chem. C 2019, 123, 24818-24825]对该材料外延薄膜中缺陷动力学进行了详细研究，揭示了膜/衬底晶格失配对薄膜横向相干性的影响。预期极小的晶格失配（<0.05%）对以范德瓦耳斯力彼此弱键合的原子层外延系统无影响，这与观测结果相反。本工作中，我们研究晶格失配与薄膜晶域尺寸及形貌之间的关联。利用同步辐射X射线获得的薄膜布拉格反射三维倒易空间图来可视化贯穿膜厚的结晶学域的空间构象，而原子力显微镜图像则提供膜表面域形貌的直接信息。
引用
@article{arxiv.2008.02180,
title = {Morphology Control in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators},
author = {Celso I. Fornari and Eduardo Abramof and Paulo H. O. Rappl and Stefan W. Kycia and Sérgio L. Morelhão},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.02180},
year = {2020}
}
备注
7 pages, 2 figures (4 reciprocal space maps in 3D)