用于本征反铁磁拓扑绝缘体外延薄膜结构建模的X射线衍射工具
材料科学
2021-07-27 v1
摘要
新材料的合成需要适合各体系特殊性的结构分析工具。范德瓦耳斯（vdW）材料在自旋电子学和量子信息处理的兴起技术中至关重要，特别是拓扑绝缘体，以及近来允许对非平庸电子能带拓扑与磁性组合进行现象学探索的材料。原子层间弱的vdW力导致成分涨落和结构无序，即使在Bi2Te3等典型二元拓扑绝缘体中也难以控制。如MnBi2Te4中第三元素的加入使这些材料的外延更加混乱。本工作中，描述了单晶衬底上薄膜的统计模型结构。其允许在无序异质结构中模拟X射线衍射，这是控制这些材料外延生长的必要步骤。此外，此处描述的衍射模拟方法可立即作为基于不同元素vdW键合层堆叠设计新材料的通用工具。
引用
@article{arxiv.2107.12280,
title = {X-ray diffraction tools for structural modeling of epitaxic films of an intrinsic antiferromagnetic topological insulator},
author = {Rafaela F. S. Penacchio and Celso I. Fornari and Yori G. Camillo and Philipp Kagerer and Sebastian Buchberger and Martin Kamp and Hendrik Bentmann and Friedrich Reinert and Sergio L. Morelhao},
journal= {arXiv preprint arXiv:2107.12280},
year = {2021}
}
备注
12 pages, 9 figures