利用先进 X 射线分析对碲化铋外延层的纳米尺度表征
材料科学
2017-01-02 v1
摘要
拓扑绝缘体的表面性质与结构性质高度相关，这要求使用能够同时探测表面和体结构的高分辨率技术。本工作结合了同步辐射源的高通量、用于快速 X 射线动力学衍射模拟的递归方程以及用于数据拟合的遗传算法，揭示了厚度在 8 至 168 nm 范围内的碲化铋外延膜的详细结构。这包括模型结构中各层的堆叠序列、厚度与成分、界面相干性、表面终止与形貌。这些结果与原子力显微镜测定的表面形貌相一致。此外，通过利用零噪声面探测器采集的 X 射线数据构建三维倒易空间图，我们对 Bi2Te3 薄膜中畴和堆垛层错的纳米结构提供了深入见解。
引用
@article{arxiv.1612.09386,
title = {Nanoscale characterization of bismuth telluride epitaxic layers by advanced X-ray analysis},
author = {Sérgio L. Morelhão and Celso I. Fornari and Paulo H. O. Rappl and Eduardo Abramof},
journal= {arXiv preprint arXiv:1612.09386},
year = {2017}
}
备注
12 pages, 13 figures