吸收界面作用下 Si 掺杂薄 SiO2 层中纳米晶形成
材料科学
2007-05-23 v2 统计力学
摘要
presented 对 1 keV Si 掺杂薄 SiO2 薄膜中 Si 纳米晶（NC）形成的动力学 3D 格� Monte Carlo 研究。在初始 Si 掺杂浓度下，NC 通过核化、生长和奥斯特瓦尔德熟化形成；或在更高浓度下，通过相分离形成非球形、延伸的 Si 结构，随后在较长退火过程中通过界面最小化球化。无论哪种情况，靠近 SiO2/Si 界面的 Si 界面都是扩散 Si 原子的强吸收界面。NC 在靠近 SiO2/Si 界面薄的无 NC 氧化层上排列。因此，该无 NC 区域的宽度恰好适合通过直接电子隧穿进行 NC 充电，这对于非易失性存储器应用至关重要。此外，在低 Si 浓度（核化区域）下，奥斯特瓦尔德熟化与 Si 向界面损失的竞争导致无 NC 区域宽度和平均 NC 尺寸在较长时间的退火过程中保持恒定。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0212285,
title = {Nanocrystal Formation in Si Implanted Thin SiO2 Layers under the Influence of an Absorbing Interface},
author = {T. Mueller and K. -H. Heinig and W. Moeller},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0212285},
year = {2007}
}
备注
presented at the Spring Meeting of the European Materials Research Society (E-MRS), 2002, Strasbourg, France; 5 pages, 7 figures, RevTeX