NbN/4H-SiC异质结构界面的晶体形成
应用物理
2021-11-17 v1 材料科学
摘要
鉴于将多种超导材料用于器件制造或衬底开发的重要性，研究界面可能的相互作用是必要的。本工作中，溅射沉积于4H-SiC上的NbN薄膜在1400 C和1870 C下进行了热处理，并通过透射电子显微镜检测，以评估界面相互作用是否呈现温度依赖行为。我们报道了在1400 C处理期间NbN向SiC衬底扩散并在其中形成NbN纳米晶。在1870 C处理后，观察到分层孔隙率与空洞形成，这可能是由于两种材料之间的催化反应，并由材料热膨胀系数差异引起的应力所加速。最后，采用拉曼光谱以理解界面晶格的光学响应。
引用
@article{arxiv.2111.08680,
title = {Crystalline Formations of NbN/4H-SiC Heterostructure Interfaces},
author = {Michael B. Katz and Chieh-I Liu and Albert F. Rigosi and Mattias Kruskopf and Angela Hight Walker and Randolph E. Elmquist and Albert V. Davydov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2111.08680},
year = {2021}
}