纳米层状 Si/C 多层结构中离子束诱导混合的研究
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
利用掠入射 X 射线衍射（GIXRD）和拉曼光谱技术，研究了 Si/C 多层结构中离子束诱导的原子混合及后续热处理效应。[Si (3.0 nm) / C (2.5 nm)]x10 /Si 多层薄膜是在超高真空（UHV）环境下通过电子束蒸发制备的。层厚使用原位石英晶体振荡器测量。这些多层薄膜经受了通量为 5E-16（低通量）和 1E-17 ions/cm2（高通量）的 40 keV Ar+ 离子辐照。制备态和辐照后的多层样品在 773 K 下退火一小时。GIXRD 和拉曼光谱结果揭示了这些多层结构中不同 SiC 相的形成。纳米结构界面处的沉积诱导反应以及随后的室温低通量 Ar 离子辐照导致六方 SiC 相的形成。高通量 Ar+ 离子辐照及随后在 773 K 下退火一小时导致立方 SiC 相的析出。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0601224,
title = {Study of ion beam induced mixing in nano-layered Si/C multilayer structures},
author = {Ram Prakash and S. Amirthapandian and D. M. Phase and S. K. Deshpande and R. Kesavamoorthy and K. G. M. Nair},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0601224},
year = {2007}
}
备注
16 pages, 3 figures. to be appear soon in NIM B (article in press)