利用离子束分析技术研究氢化类金刚石碳薄膜中氢的深度分布
材料科学
2015-06-18 v1
摘要
采用不对称电容耦合射频等离子体，以不同甲烷流量在室温下将氢化类金刚石碳（HDLC）薄膜沉积于硅衬底上。这些薄膜在高真空高温炉中进行了退火处理。利用氟离子束与 HDLC 之间核反应中 6.44 MeV 的共振，对制备态和退火态 HDLC 薄膜中的氢进行了深度剖析。制备态薄膜呈现出不均匀的氢深度分布：氢含量随深度递减。真空退火导致薄膜中氢的显著脱附。轰击离子束也会引起氢的损失，尽管比例低得多。质子背散射谱显示，高真空退火期间薄膜还经历了轻微的碳损失。退火态薄膜中氢的深度分布表明，在薄膜与衬底之间的界面附近存在石墨碳。
引用
@article{arxiv.1311.7463,
title = {Study of depth profile of hydrogen in hydrogenated diamond like carbon thin film using ion beam analysis techniques},
author = {J Datta and H S Biswas and P Rao and G L N Reddy and S Kumar and N R Ray and D P Chowdhury and A V R Reddy},
journal= {arXiv preprint arXiv:1311.7463},
year = {2015}
}
备注
16 pages, 6 figures, 3 tables