应变调控垂直排列纳米复合薄膜的合成与转移
材料科学
2026-03-18 v1
摘要
最近开发的无支撑氧化物薄膜为设计具有增强功能的新型异质结构开辟了令人振奋的机遇。本文我们探索了由密集的超薄 CoxNi1-x 纳米线构成的膜片的制造，这些纳米线在 SrTiO3 基质中等向嵌入。通过综合 X射线吸收光谱、X射线共振吸收散射、X射线衍射和磁光实验，我们展示了如何利用 SrVO3 中介的升页过程来创建和转移这些膜片，同时保持自组装的金属 CoxNi1-x 纳米柱的结构和化学完整性。通过这种方法，保持了嵌入纳米结构的显著轴向变形，从而在基质去除后，纳米复合薄膜的磁性质基本保持不变。我们的发现因此突显了一种制造无支撑、应变调控垂直排列异质结构的新方法，并为其未来集成到自旋电子器件和光磁器件中铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2603.15772,
title = {Synthesis and Transfer of Freestanding Strain-Engineered Vertically Aligned Nanocomposite Thin Films},
author = {Carlos Rodríguez Cortéz and Moussa Mebarki and Bruno Berini and Dominique Demaille and Vincent Polewczyk and Yunlin Zheng and Pal Bhuyan and Boris Vodungbo and Emmanuelle Jal and Horia Popescu and Nicolas Jaouen and Yves Dumont and Marcel Hennes and Franck Vidal},
journal= {arXiv preprint arXiv:2603.15772},
year = {2026}
}