AlN/Si 界面处寄生沟道形成的厚度依赖性
材料科学
2017-11-23 v1
摘要
GaN-on-Silicon 电子器件的性能因氮化物-衬底界面处存在贡献于开关损耗和更低击穿电压的寄生导电通路而严重退化。然而，此类寄生沟道的物理本质及其性质尚不清晰。我们报道了 AlN/Si 界面处寄生沟道形成显著的厚度依赖性，其源于硅中界面处增加的表面受主密度。利用二次离子质谱测量分析了这些表面受主的起源，并追溯至由 Si-O-N 复合物导致的热受主形成。低温（5K）磁阻（MR）数据揭示了随 AlN 膜厚度增加由正 MR 向负 MR 的转变，表明存在电子反型层，其也贡献于寄生沟道形成，但在室温下其贡献是次要的。
引用
@article{arxiv.1711.03324,
title = {Thickness Dependent Parasitic Channel Formation at AlN/Si Interfaces},
author = {Hareesh Chandrasekar and K N Bhat and Muralidharan Rangarajan and Srinivasan Raghavan and Navakanta Bhat},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.03324},
year = {2017}
}
备注
23 pages, 7 figures