GaN/AlN 组分渐变界面的热阻
材料科学
2019-03-27 v2
摘要
功率电子器件中的组分渐变界面可消除位错，但也会降低热传导，导致过热。我们利用第一性原理格林函数量化了不同厚度的 GaN/AlN 组分渐变界面的热阻，并与突变异面情况进行比较。合金散射与失配散射机制的相互作用产生了热阻随界面厚度变化的非平凡幂律依赖关系。我们表明，在真实界面相关的长度尺度上，此类渐变界面的整体行为与有效合金的薄膜非常相似。
引用
@article{arxiv.1809.11046,
title = {Thermal resistance of GaN/AlN graded interfaces},
author = {Ambroise van Roekeghem and Bjorn Vermeersch and Jesús Carrete and Natalio Mingo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1809.11046},
year = {2019}
}