基于AlN的原子芯片的热学性质
原子物理
2010-11-22 v3 量子气体
摘要
我们研究了由高导热氮化铝(AlN)衬底上直接沉积金微线构成的原子芯片的热学性质。测量了不同宽度以及不同热耦合到固定芯片的铜支架的导线的加热情况。结果与一个理论模型吻合良好，该模型将铜支架视为散热器，并假设导线与衬底之间的热界面电阻为零。我们给出了描述不同瞬态加热阶段和稳态的解析公式。确定了优化芯片设计以及导线中可通入的最大电流I_c的标准。对于一块用Epotek H77胶粘在铜块上的600 μm厚芯片，我们得到3 μm高、200 μm宽的导线的I_c = 16 A。
引用
@article{arxiv.0906.2880,
title = {Thermal properties of AlN-based atom chips},
author = {Julien Armijo and Carlos Garrido Alzar and Isabelle Bouchoule},
journal= {arXiv preprint arXiv:0906.2880},
year = {2010}
}