面向纳米电子应用的高阻 NiO 薄膜制备
材料科学
2022-07-25 v1 强关联电子
摘要
典型电荷转移绝缘体 NiO 的薄膜似乎是新型纳米电子器件的一种有前途的材料。然而该材料的制备具有挑战性，且文献多报道其为 p 型半导体相。本文给出了一项析因实验的结果，可用于优化采用溅射沉积的薄膜的膜层性质。我们进行了聚类分析，发现了四类主要薄膜。其中，所需的绝缘相被鉴别出来。基于该材料，我们制备了纳米尺度器件，证明上述结果可延续至相关长度尺度。文中报道了初步的开关结果。
引用
@article{arxiv.2207.10837,
title = {Fabrication of highly resistive NiO thin films for nanoelectronic applications},
author = {Johannes Mohr and Tyler Hennen and Daniel Bedau and Joyeeta Nag and Rainer Waser and Dirk J. Wouters},
journal= {arXiv preprint arXiv:2207.10837},
year = {2022}
}