硅基半导体纳米线中的量子输运长度尺度：表面粗糙度效应
无序系统与神经网络
2011-05-17 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报告了一项关于具有表面粗糙度无序的原子尺度硅纳米线模型中量子电荷输运的理论研究。根据纳米线的特征（长度、粗糙度轮廓），利用高效的实空间 O(N) 计算方法，在 Kubo-Greenwood 和 Landauer-Buttiker 输运框架下对多种导电机制进行了数值探索。作为表面粗糙度无序关联长度的函数，对弹性平均自由程、电荷迁移率和局域化长度进行了定量估算。所得的电荷迁移率数值与性能最优的本征纳米线的实验估计值吻合良好。此外，还阐明了平均自由程与局域化长度之间 Thouless 关系的局限性。
引用
@article{arxiv.0801.1613,
title = {Quantum Transport Length Scales in Silicon-based Semiconducting Nanowires: Surface Roughness Effects},
author = {Aurelien Lherbier and Martin Persson and Yann-Michel Niquet and Francois Triozon and Stephan Roche},
journal= {arXiv preprint arXiv:0801.1613},
year = {2011}
}
备注
13 pages, to appear in PRB