分子规模硅纳米管晶体管中的相干单电子输运
材料科学
2015-06-24 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报告了对分子尺度硅纳米管的低温电输运研究。单个纳米管表现出明确的库仑阻塞振荡特征，表明电荷可被单个纳米结构添加，长度尺度可达至少 400 nm。进一步的研究表明，电子通过离散的单粒子量子能级进行相干输运，并且发现基态自旋构型遵循 Lieb-Mattis 定理。此外，纳米管的耗尽现象表明，在关联性强的条件下，相干单点特性是可实现的。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0412756,
title = {Coherent Single Charge Transport in Molecular-Scale Silicon Nanowire Transistors},
author = {Zhaohui Zhong and Ying Fang and Wei Lu and Charles M. Lieber},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0412756},
year = {2015}
}
备注
4 pages and 4 figures