量子力学边界粗糙度电阻对铜纳米线的影响
介观与纳米尺度物理
2009-06-23 v1
摘要
通过大马士革工艺制造的铜纳米线通常用作先进电子器件中的互连。由于约束效应，铜的电阻率高于体材料值，从而损害了器件性能。最近的电子输运测量在低温和室温下，对于宽度在80到500纳米之间的纳米线，清晰地展示了这一效应。已有研究用考虑电子-表面和晶界散射的半经典模型的有限尺寸效应进行了解释，但其拟合未能捕捉到宽度低于100纳米时数据中强烈的线宽依赖性。本文解释了过剩电阻率如何源于一种量子力学表面粗糙度效应，该效应在线宽小于平均自由程时开始强烈贡献。对于未来20纳米的互连，这种类型的粗糙度散射将导致电阻率增加40%。
引用
@article{arxiv.0906.3747,
title = {Influence of quantum-mechanical boundary roughness resistance on copper nanolines},
author = {T. E. Huber and P. Trottman and J. B. Halpern},
journal= {arXiv preprint arXiv:0906.3747},
year = {2009}
}
备注
14 pages, 2 figures