铜互连中的晶界电阻：从原子模型到神经网络
材料科学
2018-04-11 v3
摘要
我们使用两种不同的原子紧束缚方法系统地研究了取向对铜晶界电阻率的影响。开发了一种利用嵌入原子模型、紧束缚方法和非平衡格林函数 (NEGF) 来模拟晶界电阻率的方法论。该方法论通过与小尺寸、超薄体晶界 (<5nm) 的第一性原理计算进行验证，电阻率偏差为 6.4%。研究了一个包含 600 个大型随机晶粒结构的统计系综。对于具有三个晶粒的结构，发现电阻率分布接近正态分布。最后，基于神经网络构建了晶界电阻率的紧凑模型。
引用
@article{arxiv.1701.04897,
title = {Grain Boundary Resistance in Copper Interconnects from an Atomistic Model to a Neural Network},
author = {Daniel Valencia and Evan Wilson and Zhengping Jiang and Gustavo A. Valencia-Zapata and Gerhard Klimeck and Michael Povolotskyi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1701.04897},
year = {2018}
}
备注
18 pages, 12 figures