铜上晶界纳米尺度晶间腐蚀及其与晶界特征的原位研究
材料科学
2018-09-27 v1
摘要
在 1 mM HCl 水溶液中,于微晶铜上以纳米尺度研究了各类晶界(GBs)处晶间腐蚀的萌生。通过一种创新方法将同一局部微观结构区域的原位电化学扫描隧道显微镜(ECSTM)与电子背散射衍射分析相结合,该方法包含利用 STM 针尖进行的微标记。结果表明,在晶界表面端点处由电化学诱发的晶间溶解依赖于晶界特征。研究发现,随机大角晶界以及 sigma9 重合位置点阵(CSL)晶界易发生纳米尺度晶间腐蚀萌生,而对于 sigma3 CSL 晶界,其行为取决于 GB 平面偏离精确取向的偏差角。对于 sigma3 孪晶,由于重合晶界平面内台阶(即取向错位位错)密度的增加,在 1° 至 1.7° 偏差之间发生从耐蚀到易蚀的转变。该工作强调了在必须于纳米尺度控制晶间腐蚀或其萌生的应用中,设计晶界网络所需之精度。
引用
@article{arxiv.1809.09872,
title = {Nanoscale Intergranular Corrosion and Relation With Grain Boundary Character as Studied In Situ on Copper},
author = {Mohamed Bettayeb and Vincent Maurice and Lorena H. Klein and Linsey Lapeire and Kim Verbeken and Philippe Marcus},
journal= {arXiv preprint arXiv:1809.09872},
year = {2018}
}
备注
25 pages, 1 Table, 6 Figures