微晶铜局部晶界结构与钝化关系的原位微观结构联合研究
材料科学
2019-03-14 v1
摘要
将同一局部微观结构区域的原位电化学扫描隧道显微镜(ECSTM)与电子背散射衍射分析相结合，研究了0.1 M NaOH水溶液中微晶铜的晶界(GB)类型与结构同钝化之间的关系。结果表明，对于大角度随机晶界，在Cu(I)氧化范围内的钝化表现为晶界边缘区域深度的减小，这是由于局部形成的钝化膜比相邻晶粒上更厚，从而局部阳极氧化效率较低，因为在晶界处消耗了更多的铜。对于sigma3 CSL晶界，观察到Cu(I)钝化效率取决于晶界的局部结构。当{111}晶界平面相对于理想相干孪晶边界完美几何的偏离角为0.4-0.5{\deg}时，观察到钝化效率由较高向较低转变。这种转变源于容纳晶界平面偏离精确CSL平面程度增大的错配位错密度增加对局部阳极氧化性质的影响。
引用
@article{arxiv.1903.05371,
title = {Combined in situ microstructural study of the relationships between local grain boundary structure and passivation on microcrystalline copper},
author = {Mohamed Bettayeb and Vincent Maurice and Lorena H. Klein and Linsey Lapeire and Kim Verbeken and Philippe Marcusa},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.05371},
year = {2019}
}
备注
27 pages, 3 figures, 1 table