硅倾斜晶界的局部结构与缺陷偏析
材料科学
2016-11-03 v1
摘要
我们展示了硅中几种不同倾斜晶界 (GB) 的原子尺度和第一性原理模拟结果。利用遗传算法获得的晶界结构没有配位缺陷，即在结构优化过程中所有硅原子都恢复了四面体配位。这涉及先前已知的对称 {\Sigma} 5 (130)、{\Sigma} 3 (211) 和 {\Sigma} 29 (520) 晶界，以及先前未知的非对称 {\Sigma} 9 (-255)/(-211)、{\Sigma} 3 (-255)/(211) 和 {\Sigma} 13 (790)/(3 11 0) 结构。我们对晶界上的缺陷偏析进行了广泛研究，包括中性空位以及碳、磷和硼杂质。研究揭示了缺陷偏析能与缺陷偏析处的晶界位点局部几何结构之间的明显相关性。我们提出了一种简单的纯几何模型，用于评估所列缺陷的近似偏析能。
引用
@article{arxiv.1308.3802,
title = {Local structure and defect segregation on the tilt grain boundaries in silicon},
author = {Vitaly Yu. Lazebnykh and Andrey S. Mysovsky},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.3802},
year = {2016}
}
备注
8 pages, 7 figures