铜上C$_{60}$双层中空间分辨的衬底诱导整流
介观与纳米尺度物理
2017-03-02 v1
摘要
我们展示了沉积在铜上的\buck双层在1.3 V偏压下整流比()达1000。利用扫描隧道谱和第一性原理计算，我们表明\buck与Cu(111)表面之间的强耦合导致底层\buck层金属化，而顶层\buck的分子轨道基本不受影响。由于这种衬底诱导的对称性破缺以及隧穿输运机制，该系统表现为空穴阻挡层，其开启电压对层内配位具有空间依赖性。结合先前在Cu(111)上并五苯/\buck双层中观察到的强电子阻挡特性，本工作进一步展示了强杂化、\buck涂覆电极在利用分子组分的电学功能方面的潜力。
引用
@article{arxiv.1703.00266,
title = {Spatially-resolved, substrate-induced rectification in C$_{60}$ bilayers on copper},
author = {Joe Smerdon and Pierre Darancet and Jeffrey Guest},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.00266},
year = {2017}
}