平带材料中由量子度规决定的电阻率上限
介观与纳米尺度物理
2022-03-02 v3 强关联电子
摘要
量子度规是能带理论的核心量，但因其非经典起源，迄今尚未与许多响应系数建立联系。然而，在近期发展的快速弛豫 Kubo 形式体系中，将直流电导率分解为经典(带内)与量子(带间)贡献的研究揭示，带间部分正比于量子度规。本文表明，对于电荷中性半金属与带宽高度淬灭的系统，由量子度规引起的带间效应可显著增强甚至主导电导率。对于非零陈数的拓扑平带材料尤其如此，其中在中等弛豫速率下，由于量子度规与 Berry 曲率共同的几何起源，电阻率存在一个上限。我们建议在高度可调的菱面体三层石墨烯薄片中寻找这些效应。
引用
@article{arxiv.2110.14658,
title = {Bound on resistivity in flat-band materials due to the quantum metric},
author = {Johannes Mitscherling and Tobias Holder},
journal= {arXiv preprint arXiv:2110.14658},
year = {2022}
}
备注
10 pages, 5 figures