金属纳米线中的电阻率标度与电子弛豫时间
介观与纳米尺度物理
2016-06-23 v2
摘要
我们研究了由表面粗糙度和晶界引起的纳米级金属线中的电阻率标度，这是目前纳米尺度互连中电子散射的主要原因。利用玻尔兹曼输运方程，采用分布函数的弛豫时间近似 (RTA) 和传导电子的有效质量近似，获得了电阻率。利用费米黄金定则精确计算了弛豫时间，从而为每个对输运有贡献的子带态提供了正确的弛豫时间。一般而言，弛豫时间强烈依赖于子带态，这一点在以往工作的方法中尚不清楚。针对不同粗糙度和晶界特性获得了电阻率标度，显示出标度行为和弛豫时间的巨大差异。我们的模型清楚地表明，电阻率主要由晶界散射主导，其贡献轻易超过表面粗糙度贡献达 10 倍。
引用
@article{arxiv.1408.6644,
title = {Resistivity scaling and electron relaxation times in metallic nanowires},
author = {Kristof Moors and Bart Sorée and Zsolt Tőkei and Wim Magnus},
journal= {arXiv preprint arXiv:1408.6644},
year = {2016}
}
备注
19 pages, 5 figures