采用 GaN HEMT 实现 SiC MOSFET 20 MHz 硬开关的高速栅极驱动器
信号处理
2017-11-09 v1
摘要
在本文中，我们研究了一种采用 GaN HEMT 推挽结构用于 SiC 功率 MOSFET 高频硬开关的栅极驱动器。GaN HEMT 的低导通电阻和低输入电容适合从逻辑电平实现高频栅极驱动，而具有高雪崩能力的 SiC MOSFET 的鲁棒性适合作为功率变换器中的开关晶体管。我们提出的栅极驱动器由数字隔离器、互补 Si MOSFET 和 GaN HEMT 组成。GaN HEMT 推挽级因其优越的开关特性而具有高驱动能力，互补 Si MOSFET 可增强来自数字隔离器的控制信号。我们通过关注各电路元件研究了所提栅极驱动器开关频率的限制因素，并提出了一种改进的栅极驱动配置。结果，使用改进的 GaN HEMT 栅极驱动器实现了 SiC MOSFET 的 20 MHz 硬开关。
引用
@article{arxiv.1711.02832,
title = {High-Speed Gate Driver Using GaN HEMTs for 20-MHz Hard Switching of SiC MOSFETs},
author = {Takafumi Okuda and Takashi Hikihara},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.02832},
year = {2017}
}